FICT株式会社
代表取締役社長

雨宮 隆久氏

外資系半導体企業の日本法人代表として、営業およびマーケティング業務を中心に従事。
その後、ビジネスコンサルタントとしての経験を経て、2020年2月にFICT の前身、富士通インターコネクトテクノロジーズへ最高戦略責任者（CSO）兼経営戦略室長として参画。
2023年9月1日付で代表取締役社長（CEO）に就任。

生成AIの普及により、データセンターの電力消費が急増し、LLMの学習・推論による負荷が課題となっています。電力効率改善策として高密度チップ集積技術が注目される中、従来の有機基板は熱伝導性や寸法安定性に限界があり、次世代パッケージング技術として、優れた物理特性を持つガラス基板が有力候補とされています。一方で、Through-Glass Via（TGV）の形成に伴う技術的課題は依然として残っています。本講演では、現状の課題を整理し、ガラス基板の潜在的な影響を考察。さらに、多層ガラス基板構造による回路形成と部品埋め込みで垂直統合を実現することで、電力効率・機能集約・高付加価値化を同時に達成する可能性を提示します。

国立研究開発法人物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター
グループリーダー

宮田 耕充氏

2008年に東京都立大学にて博士（理学）を取得。2008年から2009年まで日本学術振興会（JSPS）特別研究員、2009年から2013年まで名古屋大学助教、2013年から2025年まで東京都立大学准教授を務めた。2025年より物質・材料研究機構（NIMS）グループリーダーに就任。

次世代の高性能半導体デバイスの実現に向け、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）をはじめとする二次元材料が世界的に注目を集めています。特に、TMDの大面積単結晶成膜、低接触抵抗電極、ヘテロ構造、原子置換などの材料技術が近年飛躍的に発展しており、それに伴い基礎物性の理解やデバイス応用に関する研究も加速しています。本講演では、TMDに関する最新の研究動向と課題に加え、合成技術、評価手法、機能開拓に関する私たちの研究成果を紹介します。

先端半導体と次世代パワー半導体へ向けて

大阪大学産業科学研究所
フレキシブル3D実装協働研究所
特任教授・所長

菅沼 克昭氏

先端半導体とパワー半導体の後工程を巡る世界と日本の状況をまとめ、開発のエッセンスに関して議論を行う。半導体のパッケージングは、異相界面の接合技術が根本に存在する。電極のミクロンレベルのハイブリッド接合はホットな競争領域であるが、マイクロバンプやC4接合は信頼性を大きく左右する技術になる。サブストレート、再配線層、インターポーザー、ブリッジ、アンダーフィル、更にはモールド、放熱技術など広く材料、プロセスと構造が複雑に関係する。本講演では、全体の技術動向を俯瞰した後に、阪大F3Dがフォーカスする信頼性の課題、接合界面の理解からその性能、信頼性向上の方向を議論する。