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超高真空の環境下で、電子銃と抵抗加熱による蒸着が可能です。

【特徴】
・蒸着室/基板導入室/ボート導入室の3室構成で、
　蒸着は常時真空のまま、基板や材料の入れ替えが可能。
・Tiを真空槽内壁に成膜することによるゲッタ効果を利用し、10E-6Pa台の超高真空領域まで排気が可能。
・治具傾斜機構により、使用する蒸発源側へ治具を傾けて最適の角度で成膜可能。

【主な用途】
・各種電子部品(高周波デバイス、量子ビット等)の電極膜成膜

次世代通信、センシング

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本装置は各種電子部品への電極膜成膜を目的として開発したロードロック式スパッタ装置です。

【特徴】
・両面同時成膜によりハイタクトでの稼働が可能
・ラック＆ピニオン方式によるトレイ搬送
・トレイは10枚搭載可能で、1枚毎に条件設定可能なため、
　研究開発用途にも最適。
・高使用効率カソード使用で、
　ターゲット使用効率を40%にすることも可能　※通常は約20%

【用途】
・各種電子部品(LDサブマウント、抵抗器等)への電極膜成膜

次世代通信、センシング、生産性向上

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Φ4インチもしくはΦ6インチウエハに対して収束させたイオンビームを照射することで、ウエハ表面の凹凸をσ＝1.0nm以下まで平坦化可能な装置です。

【特徴】
・ロードロックタイプでトリミング室は常時真空
・ダブルハンドでウエハの入れ替えを行なうため、搬送待ちによる時間ロスが最小限
・イオンソース用グリッドのラインナップあり(ハイレート用、高精度用、低コスト用など)

【用途】
・圧電デバイスの周波数調整、ウエハ/膜の平坦化

次世代通信、センシング、省人化・自動化・最適化

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本装置は各種電子部品へのプラズマクリーニングを目的として開発した装置です。

【特徴】
・C to C搬送で省人化
・2枚同時処理可能(Φ4インチ、Φ6インチウエハ対象)
・イオナイザーによる静電対策も可能 ※オプション
・ダミーステージ搭載で、ダミーランができ、安定したプラズマ処理が可能

【用途】
・各種ウエハ電子部品のレジスト除去
・後工程めっき前の表面改質
・有機汚染除去

次世代通信、センシング、省人化・自動化・最適化、生産性向上

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ALD法は従来のCVD、PVDに比べ、
「ピンホールフリー」、「段差被覆性」、「膜厚制御性」に優れております。

【特徴】
・成膜可能材料：SiO2、TiO2、Al2O3
・単原子層ずつ成膜するため、膜厚制御性に優れる
・高アスペクト比の基板に対しても付回り良く成膜可能
・プラズマALD手法により低温成膜可能(RT～120℃)
・Φ8インチ基板24枚一括処理
・治具の工夫でチップ形状の基板にも対応可能

【用途】
・電子部品への絶縁膜、ガスバリア膜

次世代通信、センシング