【重要】特別シンポジウムの9:30開始セッションに聴講登録いただいている方のみ、
9:00頃(予定)より東4ホール入口からご入場いただけます。(展示会場は 10:00 開場)
会場 | : | メインシアター (東4ホール) |
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本報では、DUVリソグラフィの進展とDUVエキシマレーザ光源開発、それに続くEUV光源の開発のこれまでの経緯と、九州大学での新しい試み;EUV照射センター、および高出力光源開発への挑戦 について解説する。
さらに第3の微細化:パッケージングの微細化がここ最近業界で注目され様々な試みがなされている。本稿ではリソグラフィ用エキシマレーザー技術をアブレーション加工用レーザー開発への展開。さらには固体レーザーとエキシマレーザーを組み合わせた近未来型ハイブリッドArFエキシマレーザーへの挑戦について解説する。
会場 | : | メインシアター (東4ホール) |
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1991年富士フイルム入社。写真素材開発3年、半導体材料開発8年従事後、エレクトロニクスマテリアルズ研究所にてカラーレジスト開発6年間。その後KrF、ArF、ArF液浸、EB、EUV用レジスト開発、統括、社外連携に従事。2014年から2年間、国家プロジェクトEIDECにてレジストアウトガスとメタルレジスト研究の中心的役割を担う。200件以上の特許出願および学会発表、論文報告、招待講演、執筆等多数。
昨今の半導体ニュースのにぎわいは目を見張るものがある。最先端半導体をつくるために必要なEUVリソグラフィは、長い年月をかけて2019年に実用化された。しかしながら、EUVレジスト材料の性能は未だ期待されたレベルに到達しておらず、またEUVリソグラフィは限られたデバイスメーカーの限られたレイヤーに限定されているのが現実である。極微細パターンを形成するための最もクリティカルな課題はストカスティック現象であり、量産に大きな影響を与える欠陥につながる。本講演では筆者が分類・報告したEUVリソグラフィにおける2種のストカスティック(フォトンストカスティックとケミカルストカスティック)に関する解説と現状、その改良状況など最新動向を紹介するとともに、今後の展望についても言及する。
会場 | : | メインシアター (東4ホール) |
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小嶋洋介はテクセンドフォトマスク株式会社にてGlobal R&DのVPを務めている。
2001年に東京大学工学部応用物理学科を卒業。
2003年に東京大学大学院新領域創成科学研究科を卒業。
2003年に凸版印刷株式会社に入社。以来、MoSiバイナリマスク、高解像性マスク技術など、光マスクの様々な分野で活躍。
2022年、2023年にPhotomask Japanの論文委員長を務める。
現在は光マスクとEUVマスクの材料、プロセス、装置技術の研究開発を統括。
フォトマスクは、半導体ウェハ―に回路を転写するための原版であり、半導体製造工程において欠かすことのできない部材である。本講演では、最先端フォトマスクであるEUVマスクの開発における重要な技術を紹介する。また、EUVマスク市場の位置付けと今後の市場展望を示す。
会場 | : | メインシアター (東4ホール) |
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