還元型Co触媒を利用したボイドフリー最終表面処理プロセス

10:30-11:00 事前登録

【講演者プロフィール】

2000年に神戸大学 工学部 応用化学科 卒業、奥野製薬工業株式会社 入社、表面処理関連の研究部に配属。入社以来、無電解ニッケルめっき液の開発に従事。近年はプリント基板やパワー半導体関連部品への前処理、無電解ニッケルめっき、無電解貴金属めっきの開発にも従事している。専門分野は無電解ニッケルめっき。

【講演概要】

プリント基板上Cu配線には、Auワイヤーボンディングやはんだの接合信頼性向上を目的に無電解めっき処理による最終表面処理が多く採用されている。一般的にCu素材上に無電解めっきを施すには置換反応を伴うPd触媒付与液が用いられるため、Cu素材の過剰溶解による腐食発生や不均一なPd触媒核の形成によるめっき皮膜の被覆性低下が懸念されている。そこで我々は還元反応によりCu素材上にCo触媒を形成する処理薬液「ICPアクセラCOA」を開発し、Cu素材の腐食抑制および均一なCo触媒膜形成によるめっき皮膜の被覆性向上を実現した。本講演では、ICPアクセラCOAの特長と従来Pd触媒付与液の代替としてICPアクセラCOAを使用した際の無電解めっき皮膜の特性について紹介する。

半導体メッキ形成用厚膜レジストについて

11:00-11:30 事前登録

【講演概要】

半導体はいまや我々の生活において欠かすことのできないものである。近年この半導体の高密度化、高集積化にむけて２Dから３Dパッケージが注目されている。中でもPoP（Package on pakage）はパッケージの上にパッケージを積層する技術であり小さい実装面積で高機能化することができる技術である。このPOPに使用されるメッキ形成用途のレジストについて紹介する

Beyond 5G 時代に向けた電子デバイスと表面処理技術

11:30-12:00 事前登録

【講演者プロフィール】

韓国ソウル生まれ。2000年 大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻 博士後期課程を修了。博士（工学）
横浜国立大学 電子情報工学科の助手、横河電機株式会社、東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構（兼QDLaser Inc.）を経て、現在、関東学院大学 総合研究推進機構 材料・表面工学研究所の教授。（兼 同大学 大学院工学研究院 教授）
専門分野：電子材料工学、薄膜成長・表面界面物性、3D-CAD/CAE解析

【講演概要】

「高速」「大容量」「低遅延」「多数端末との接続」の特徴をもつ5G高速モバイルネットワークの普及によりBig dataを上手く利用することにより、IoTの次に、全てのモノがインターネットによって繋がっているIoE (Internet of Everything)の実現に拍車がかかり、AI、自動運転、遠隔医療など作業革新への期待が高まっている。
我々の身につけることができるウェアラブルデバイスが重要なデバイスの一つである。曲がる素材である樹脂フィルム材の長所を生かし、その上に高速で信号伝送が可能性な電子回路基板に応用可能な表面処理技術を紹介する。

高速銅めっきの添加剤とめっき膜物性

12:00-12:30 事前登録

【講演者プロフィール】

車載、航空機、飛翔体、半導体部材関連のめっきプロセス開発を２８年間行い、その後米国系の半導体装置メーカーに勤務し、関東学院大学の客員研究員、助教、講師となり現在に至る。
現在は環境に配慮したファインバブル低濃度オゾン水、電解硫酸およびUVをつかった樹脂上へのめっき前処理法の研究、低環境負荷の高速電解ニッケル、高速電解銅めっきの研究を行っている。

【講演概要】

近年、電解硫酸銅めっきは半導体チップの配線、超小型アンテナ、無接触充電コイル、プリント基板配線めっきのようなハイテク分野での重要な役割を果たしている。しかしながら、製品が精細になり、求められるめっき厚が高くなってきているにもかかわらず、析出膜の安定性が確保されていないことから高電流密度での加工がおこなわれていない。そこで添加剤の添加量と膜物性について折り曲げ性、XRDを用いて高速でめっきした結晶配向および結晶粒に関して調査した結果を紹介する。