Department of Physics, National Sun Yat-sen University

小間番号 : ONLINE
出展展示会 : nano tech 2022
出展ブース : Taiwan Pavilion

出展のみどころ

Full color micro-LED consisted of GaN microdisks have been grown on LiAlO2 substrate by melecular beam epitaxy. The self-assembled microdisks with diametar about 2 micrometers with high crystal quality can be regarded as a free standing substrate to grow InGaN/GaN quantuem well. By engineering the indium content, the InGaN/GaN quantum wells have been grown on GaN microdisks with desired wavelength to match red-green-blue light which can be used to constitute the pixel for the mciro-LED display This technology has been granted by US Patent (US 8,916,458 B2)(US 9,147,808 B2)(US 9,312,440 B2)(US 8,728,235).


製品・サービス 1
製品・サービス 2

製品・サービス 1 資料PDF

GaN micro LED


簡報1.pdf
(閲覧済み)

製品・サービスカテゴリー
【ナノ材料】
半導体材料

応用分野
IT&エレクトロニクス
光デバイス、次世代半導体、ウェアラブルデバイス
自動車
ディスプレイ

製品・サービス 2

2 inches LiAlO2 ingot


製品・サービスカテゴリー
【その他】
その他(英文):Crstal ingot, Substrate

応用分野
材料・素材
電気的機能材料(電導・誘電・半導体材料など)

連絡先情報

下記情報は来場者から出展者への事前アポイント・問合せを目的に公開しています。
それ以外の目的(セールス等)で無断に使用・転載する事を固く禁じます。

Department of Physics, National Sun Yat-sen University

No.70 Lien-hai Rd., Kaohsiung 80424, Taiwan, R.O.C., Kaohsiung Taiwan 80424

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