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Alめっきは亜鉛めっきの代替として考えられている。しかしAlの標準電極電位は水素発生よりも卑であるため、水溶液系からのAl電析は困難であり、非水溶媒を用いたAlめっきが研究されている。その中でも安価で室温でのめっきが可能な深共晶溶媒を用いたAlめっきが近年注目されている。本実験では深共晶溶媒を用いたAlめっきと第四級アンモニウム塩の添加を行った。実験方法は第四級アンモニウム塩を添加したAlめっき浴に脱脂後酸処理を行った銅基板を陰極、Al板を陽極としてAlめっきを電析させた。得られためっき面に対しX線回折を行った結果、各Alのピークが得られた。
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第5世代移動通信システム(5G)では4Gと比べ高い周波数であるため表皮効果による伝送損失が課題となる。よって平滑な基板での配線形成が必要となる。本研究ではUVランプを照射したPPS基板と、LCP基板をそれぞれアルカリ脱脂、センシタイザー、アクチベータ、クエン酸三ナトリウムの順で浸漬し無電解Ni-Pめっき、無電解Cuめっきの順でめっきを行った。また無電解Cuめっきの工程における空気撹拌の量を変化させることにより無電解Cuめっきの選択性の向上を検討した。結果として空気攪拌量が70 mL/minで高精度の選択性を確認できた。PPS基板ではNi-P面のSaが0.154 μm、Raが0.149 μmなのに対し、Cu面ではSaが0.215 μm、Raが0.210 μmと十分平滑なめっき面を確認した。
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ウェハ接合技術は半導体後工程やMEMSセンサデバイスのパッケージ等広く用いられる技術であるが、一般的に用いられている親水化接合 (フュージョンボンディング)では、高温での加熱プロセスが必要であり、デバイスへの熱ダメージや接合界面の熱応力が課題となる。本研究では、セラミックスの前駆体ポリマーであるポシリラザンを用いることで、室温プロセスで加熱を伴わずにウェハ接合を達成する技術を開発した。ポリシラザンの加水分解に必要な水分を、プラズマ親水化処理により接合界面に導入することで、ウェハ接合界面でシリカ転化反応を促進させた。これにより、SiO2による接合層が室温で形成され、常温ウェハ接合が達成された。
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炭酸ガスレーザを用いたビルドアップ基板のCuダイレクトレーザ加工が多用されているが，その現象解明や加工条件の決定法の体系的な研究は少ない．特にビルドアップ層にガラスクロス強化がなされている場合，ガラスクロスとレーザビームの相対位置関係によりビア加工穴品質が極めて複雑に変化することが知られている．本報では，複数パルスレーザ照射時に着目して，パルスの照射時間を変更した2パルスの組み合わせにおいて，ガラスクロス強化されたビルドアップ層の複雑なビア穴品質と照射パルスの組み合わせの関係を，アンサンブル学習を用いて予測を試みたので報告する．
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ビッグデータに対するさまざまなAIに基づくデータマイニング技術の適用が着目されてきている.その中で本報では,マイクロドリル工具のカタログデータベースに対して,MIC変数クラスタリングとランダムフォレスト機械学習の手法を適用して解析して,マイクロドリルの加工条件の設定のための知識発見を試みる.
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B5G/6G回路基板には低誘電樹脂を使用し，かつ平滑な界面で銅回路を形成する必要があるが、低誘電樹脂は接着性に乏しく、投錨効果や接着剤を用いず密着性を確保する技術は確立されていない。電子技研と大阪産業技術研究所では、減圧プラズマを用いた表面改質により基材表面に強固に結合した官能基(-NH基)を形成することにより、低誘電樹脂の無粗化・接着剤レスでの直接銅めっきおよび銅箔/低誘電樹脂の直接接着技術を開発した。この技術を用いれば、B5G/6Gに活用できる多層フレキシブル基板作製が可能になる。また、次世代半導体パッケージ(パッケージ基板)で注目されているガラス基板への直接銅めっきに関しても本表面改質技術で実現できており、次世代３Dアセンブリーにも貢献できる。