〈会議棟6階 605+606会議室〉

2021年10月28日(木)

JIEP最先端実装技術シンポジウム

【主催】一般社団法人エレクトロニクス実装学会
事前登録 有料

 

5G/IoT/AI時代の技術動向

座長:和嶋元世、菊池浩一

【開催時間】9:45-12:30

ミリ波を中心とした次世代無線通信技術の最新技術動向と課題
9:45-10:40

岡田 健一

東京工業大学

工学院電気電子系

教授

岡田 健一

【講演者プロフィール】

京都大学工学部卒業(電子工学)、京都大学大学院情報学研究科博士課程修了(通信情報システム専攻)。2003年、博士(情報学)取得。東京工業大学助手・准教授を経て、工学院電気電子系教授。2014年日本学術振興会賞、2017年文部科学大臣表彰科学技術賞、2019年電子情報通信学会業績賞を受賞。2003年よりミリ波無線通信向け集積回路設計の研究開発に従事。


【講演概要】

現在、第5世代移動体通信システム(5G)への需要が急速に高まっており、スマートフォンやノートパソコンへの標準搭載や、ローカル5Gのような新たな用途への展開も期待されている。5Gで用いられるミリ波無線通信では大幅な無線伝送速度の向上が期待できる反面、その周波数の高さからの実装上の課題も多い。本講演では、これらの技術動向を踏まえ、ミリ波無線機の基礎からBeyond 5Gや6G等の最新技術動向について概説する。

【申込方法】

聴講を希望される方は、直接会場までお越しください。

IoTとAIで加速する最新ウェーハ接合技術
10:40-11:35

黒瀧 宏和

イーヴィグループジャパン株式会社

テクノロジー部

プロセスエンジニア

黒瀧 宏和


【講演概要】

あらゆる「もの」が次世代ネットワークを通じてインターネットとつながるIoTは、ビッグデータの活用とAIの普及を促進し、次の技術革命を引き起こすと期待されている。ここでは膨大なデータをリアルタイムで処理することが求められるが、ムーアの法則によるデバイスの微細化が限界を迎えつつある中、さまざまな手法によるデバイス性能の向上や機能性の拡張が検討されている。
ウェーハ接合はデバイスの3次元集積化や先端パッケージングあるいは異種統合を可能し、こうした課題を解決する極めて有効かつ重要なプロセスである。本稿では最新ウェーハ接合技術の詳細について解説する。

高速伝送を支える材料技術の開発 ~低粗度銅箔と低誘電フィルムのシナジー効果~
11:35-12:30

佐藤 牧子

ナミックス株式会社

技術開発本部

シニアチームリーダー

佐藤 牧子


【講演概要】

5G(第5世代移動通信システム)や自動運転などに対応するため、より速く、より多くの情報を正確に伝達する必要がある。これらに使用されるミリ波帯アンテナ技術において、重要なポイントの1つになるのが誘電体と導体である。誘電体の電気特性と導体の表面状態により利得や比帯域幅(帯域幅と中心周波数の比)は左右される。どちらか一方が良好な特性を有していても効果的ではあるが、組み合わせることでシナジー効果が発現できる。誘電体と導体の表面状態の2つ観点での材料開発から見えてきたアンテナ特性への影響についてご紹介する。

自動車の電動化を牽引するパワーデバイスの最新動向

座長:土門孝彰、渡邉裕彦

【開催時間】13:35-16:20

最新自動車エレクトロニクスの動向
13:35-14:30

宇都宮 久修

インターコネクション・テクノロジーズ株式会社

代表取締役

宇都宮 久修


【講演概要】

自動車エレクトロニクスは, 自動車の技術革新の80%以上を担ってきた. また, 自動車全体コストの3分の1を占め, 約百万円になると予測される. 自動車エレクトロニクスには3つの主要な推進者があり, 自律的運転, コネクティビティとインフォテイメント, 及び完全電気自動車化である。本講演では, 自動車エレクトロニクスのアーキテクチャー, 主要構成部品などのロードマップを解説し, 主要技術の開発事例を紹介する.

GaO®パワーデバイスを社会実装するグローバル・オンリーワン企業
14:30-15:25

竹内 健吾

株式会社FLOSFIA

コーポレート本部コーポレートサポート部

主査

竹内 健吾

【講演者プロフィール】

大学卒業後、日系の大手半導体メーカー海外に入社し海外営業として北米や台湾地区でのビジネス拡大に従事。
その後外資系半導体メーカーでの各種営業企画・製品マーケティングを得て、2020年9月にFLOSFIA入社。
新時代のイノベーションGaO®パワーデバイスを世界に広げるための事業企画立案と実行を担当。


【講演概要】

電力制御を司るパワーデバイスは、カーボンニュートラル社会実現のキーテクノロジーとして近年更にその重要度を増しています。京都大学発のベンチャー企業FLOSFIAは、日本発の画期的な新素材α型酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いた次世代パワー半導体(以下「GaO®パワーデバイス」)を世界に先駆けて開発・製造しています。 また、少量・多品種なロングテール市場に向けた新型パワーモジュールの事業化も同時に進めています。

本公演では、GaO®パワーデバイスとパワーモジュールのご紹介と共に、FLOSFIAが如何にしてこの日本発のイノベーションを各産業へと社会実装を進めて行くか、その事業戦略をご説明します。

車載用パワーデバイスの高耐熱・高放熱パッケージ技術
15:25-16:20

池田 良成

富士電機株式会社

半導体事業本部 開発統括部 パッケージ開発部 先行開発課

課長

池田 良成